ウェハー加工に関するQ＆A

「CVD」についてのQ&A

Q-22: CVD成膜とは何ですか？

A-22: CVD成膜（化学気相堆積）は、気体の化学物質を高温で反応させて基板上に薄膜を形成するプロセスです。この方法は均一で高品質な膜を堆積するのに適しています。

Q-23: CVD成膜とスパッタ成膜の違いは何ですか？

A-23: CVD成膜は、化学気相堆積を利用して薄膜を形成する方法で、化学反応により基板上に膜を堆積します。一方、スパッタ成膜は、物理的な手法を用いてターゲット材から原子を飛ばし、基板上に堆積させる方法です。どちらの方法も高品質な薄膜を形成しますが、用途や目的に応じて選択されます。

Q-24: CVD成膜の利点と欠点は何ですか？

A-24: 利点: 高均一性の膜を形成できる、広範な材料に対応できる、高速堆積が可能。欠点: 高温プロセスが必要なため、熱に弱い材料には不向き、装置のコストが高い。

Q-25: CVD成膜で成膜可能な膜にはどのようなものがありますか？

A-25: CVD成膜では、酸化膜（SiO₂）、窒化膜（SiN）、オキシナイトライド膜（SiON）、アモルファスシリコン（a-Si）などの膜を成膜する事が可能です。

Q-26: CVD成膜での膜厚制御の精度はどれくらいですか？

A-26: 当社のCVD成膜では、基板サイズや膜厚にもよりますが基本的には狙い値の±10%としております。これ以上の精度での成膜も可能ですので、ご相談ください。

Q-27: CVD成膜のプロセス時間はどれくらいですか？

A-27: CVD成膜のプロセス時間は、材料や厚さによりますが、通常数分から数時間です。具体的なプロセス条件によって異なりますので、詳細はお問い合わせください。

Q-28: CVD成膜でのガス流量制御はどのように行っていますか？

A-28: CVD成膜では、マスフローコントローラー（MFC）を使用してガス流量を精密に制御しています。これにより、安定した成膜プロセスが実現され、高品質な薄膜が得られます。

Q-29: CVD成膜の温度範囲はどのくらいですか？

A-29: 当社CVD成膜のプロセス温度は、180℃から380℃の範囲となります。

Q-30: CVD成膜後の品質保証はどのように行っていますか？

A-30: CVD成膜後の保証は、膜厚の測定と外観検査での保証となります。その他、屈折率の測定も可能ですが組成、結晶構造などは保証外となります。

Q-31: CVD成膜の均一性を保つためにはどうすれば良いですか？

A-31: CVD成膜の均一性を保つためには、ガス流量、温度、圧力などのプロセスパラメータを厳密に制御することが重要です。また、基板の配置や反応器内のガス流れを最適化することも必要です。

Q-32: CVD成膜の主な応用分野は何ですか？

A-32: CVD成膜は、半導体デバイスの製造、太陽電池、MEMS（微小電気機械システム）、硬質コーティング、絶縁膜の形成など、さまざまな分野で利用されています。