ウェハー加工に関するQ＆A
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「スパッタ」についてのQ&A
Q-33: スパッタ成膜ってどういうものですか？
A-33: スパッタ成膜は、ターゲット材料（例えば金属）に高エネルギーのイオンをぶつけて、その原子を基板に飛ばして薄膜を形成する方法です。金属や絶縁膜の堆積に使用されます。
Q-34: スパッタ成膜の利点は何ですか？
A-34: スパッタ成膜の利点には、高純度で均一な膜を形成できること、広範な材料に対応できること、膜の密着性が良いことなどがあります。また、比較的低温での成膜が可能です。
Q-35: スパッタ成膜と他の成膜方法の違いは何ですか？
A-35: スパッタ成膜は、物理的な方法で材料を堆積させるPVD（物理蒸着）技術の一つです。他の成膜方法（例：CVD、蒸着）と比較して、広範な材料に対応でき、膜の密着性や純度が高いことが特徴です。
Q-36: スパッタ成膜でのターゲット材料の変更は可能ですか？
A-36: はい、スパッタ成膜では、さまざまなターゲット材料に対応しています。お客様の要求に応じて、アルミニウム、銅、チタン、タングステンなどその他のターゲット材料を使用することも可能です。
Q-37: スパッタ成膜では、どのような金属が成膜可能ですか？
A-37: スパッタ成膜では、アルミニウム（Al）、銅（Cu）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）などの金属膜を成膜することができます。その他の金属膜も対応可能ですので、ご相談ください。
Q-38: スパッタ成膜でのターゲット材の純度はどれくらいですか？
A-38: スパッタ成膜で使用するターゲット材は、通常99.99%以上の高純度材料を使用しています。これにより、高品質な薄膜を提供しています。
Q-39: スパッタ成膜の膜厚均一性はどれくらいですか？
A:-39 スパッタ成膜の膜厚均一性は、狙いの膜厚にもよりますが通常は±5~10%以内で対応致しております。
Q-40: スパッタ成膜のプロセスパラメータはどのように制御されますか？
A-40: スパッタ成膜のプロセスパラメータは、ガス圧力、ターゲット電力、基板温度、スパッタリング時間などを調整することで制御されます。これにより、膜厚や膜質を最適化できます。
Q-41: スパッタ成膜の反応ガスにはどのようなものがありますか？
A-41: スパッタ成膜で使用される反応ガスは、当社ではアルゴン（Ar）を使用しております。ターゲット材料のイオン化を促進し、基板上に堆積させるために使用されます。
Q-42: スパッタ成膜のプロセスパラメータの調整範囲はどれくらいですか？
A-42: スパッタ成膜のプロセスパラメータは、ガス圧力、パワー、ターゲットと基板の距離など、広範囲にわたって調整可能です。これにより、膜特性や堆積速度を最適化できます。
Q-43: スパッタ成膜の膜厚はどのように測定されますか？
A-43: 当社ではダミーを成膜する際に一部へテープを貼り付け、成膜後にその部分を剥いで成膜部と未成膜部との段差をレーザー顕微鏡を用いて測定します。
Q-44: スパッタ成膜の主な用途は何ですか？
A-44: スパッタ成膜は、電子デバイス、光学デバイス、センサー、保護コーティング、装飾コーティングなど、多岐にわたる用途で使用されます。特に、半導体製造やディスプレイ製造で重要な役割を果たします。
